氧化鋅是一種具有優(yōu)異壓電和光電特性的直接帶隙寬禁帶半導體材料示範。同時氧化鋅材料多變的形態(tài)結(jié)構(gòu)直接決定其物理性質(zhì)及應用潛力。因此，研究各種氧化鋅微/納米材料的晶體結(jié)構(gòu)及生長行為機遇與挑戰，對探討其產(chǎn)生獨特性能的原因，設計新型功能材料領先水平，以及進一步拓展氧化鋅材料的應用領(lǐng)域都有重要意義知識和技能。
研究發(fā)現(xiàn)，在高溫沉積時催化劑顆粒出現(xiàn)在納米帶的頂部選擇適用，納米帶的生長方向受催化劑晶格匹配的影響管理。在低溫沉積時催化劑則出現(xiàn)在底部，其生長方向為[0001].研究中還利用催化劑或誘導劑的作用合成了梳子狀氧化鋅材料業務指導，并實現(xiàn)了定向生長改進措施；研究發(fā)現(xiàn)，其生長方向在低溫沉積時比較多變長足發展，在高溫沉積時其生長方向僅為10-10或2-1-10.最后今年，在碳熱還原過程中討論了氧化鋅與炭布、碳納米管（CNTs）及銅納米棒陣列復合材料的生長行為結構不合理。研究發(fā)現(xiàn)動手能力，大尺寸炭材料易于與氧化鋅納米材料形成復合物。然而意見征詢，直接在納米碳材料表面生長氧化鋅納米線則必須有催化劑的誘導提升，而且隨沉積溫度的升高氧化鋅的形態(tài)由線到棒最后形成顆粒。同樣的必然要求，氧化鋅納米材料與Cu納米棒異質(zhì)結(jié)構(gòu)陣列的形成主要受溫度的影響研究成果。
