氧化鋅廠新發(fā)現(xiàn)先進水平，因?yàn)镹受主和反響施主共摻雜之間的激烈效果自動化方案，氮和反響施主的共摻雜會(huì)下降其在能帶中的受主能級(jí)方位改革創新。DOS（態(tài)密度）峰向價(jià)帶頂?shù)囊苿?dòng)暗示著受主能級(jí)的下降新格局。和作為受主的Li共摻雜或者和作為活性施主的F共摻雜首次，能夠制備低電阻率的P型氧化鋅不要畏懼∠鄬^高；钚匝趸\
氧化鋅廠對(duì)ZnO中Ga和N溶解度限制的研討標(biāo)明，比較于N摻雜的ZnO優化上下，氮在共摻雜ZnO中的溶解度能夠增強(qiáng)400倍（by a factor of）能力建設。運(yùn)用共摻雜法，Joseph等[463]運(yùn)用帶有等離子源的PLD體系成功制備了所謂的P型氧化鋅薄膜生產體系。關(guān)于Ga和N的共摻雜服務，已然N2O能既能有效按捺氧空位，一起又能引進(jìn)氮作為受主能力和水平。Hall 和Seebeck系數(shù)測(cè)量法驗(yàn)證了它的P型導(dǎo)電功能覆蓋，電阻率為0.5Ωcm，載流子濃度為5×1019 cm?3研究，和很低的載流子遷移率0.07 cm2 /V s高效。這么低的載流子遷移率讓我們對(duì)P型導(dǎo)電性發(fā)生置疑。它也標(biāo)明在共摻雜技能中提高，非平衡態(tài)生長(zhǎng)進(jìn)程時(shí)必需要低溫機構。雖然在共摻雜的氧化鋅薄膜中觀察到了P型導(dǎo)電功能，但因?yàn)槿鄙俦碚鹘涣?，例如共摻雜中Ga和N在禁帶中的施主和受主能級(jí)方位基礎，所以P型特征的來(lái)歷并不明白。
